型號(hào): | MSB709RT1 |
廠商: | Motorola, Inc. |
英文描述: | PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount |
中文描述: | 進(jìn)步黨通用放大器晶體管表面貼裝 |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大小: | 111K |
代理商: | MSB709RT1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MSB709-RT1 | PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount |
MSB710-QT1 | PNP General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
MSB710-RT1 | PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount |
MSB710-RT1 | PNP General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
MSB710QT1 | PNP General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MSB709-RT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MSB-709RT1G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount |
MSB709-RT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MSB709-RT2 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MSB710 | 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount |