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參數(shù)資料
| 型號： | MRFG35010 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| 封裝： | NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 402K |
| 代理商： | MRFG35010 |
5
MRFG35010
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
NOTE: All data is referenced to package lead interface.
ΓS and ΓL are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
1
9.5
13.5
13
12.5
12
11.5
11
10.5
10
0.1
0
80
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 3. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η D
ηD
70
60
50
40
30
20
10
VDS = 12 Vdc, IDQ = 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 dB P/A 3GPP W-CDMA
ΓS = 0.857é-144.24_, ΓL = 0.798é-164.30_
10
-70
0
0.1
-70
0
IRL
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 4. W–CDMA ACPR and Input Return Loss
versus Output Power
ACPR
(dBc)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
-10
-20
-30
-40
-50
-60
1
VDS = 12 Vdc, IDQ = 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 dB P/A 3GPP W-CDMA
ΓS = 0.857é-144.24_, ΓL = 0.798é-164.30_
25
36
5
0
60
Pout
VDS = 12 Vdc, IDQ = 180 mA
f = 3.55 GHz, 8.5 dB P/A 3GPP W-CDMA
ΓS = 0.857é-144.24_, ΓL = 0.798é-164.30_
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 5. W–CDMA Output Power and Drain
Efficiency versus Input Power
34
32
45
30
28
30
26
24
15
22
20
10
15
20
P out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η D
ηD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFG35030R5 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| MRFG35030R5 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
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| MSA1022-CT3 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MRFG35010ANT1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| MRFG35010AR1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| MRFG35010AR5 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| MRFG35010MR5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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