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參數(shù)資料
| 型號： | MRFE6VP5600HR6 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-1230, CASE 375D-05, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 13/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 930K |
| 代理商： | MRFE6VP5600HR6 |
MRFE6VP5600HR6 MRFE6VP5600HSR6
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6VP5600HR5 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6VP61K25HR6 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6VP61K25HSR6 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6VP6300HSR5 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRFE6VP6300HSR3 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRFE6VP5600HR6_11 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRFE6VP5600HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 600W 50V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6VP5600HSR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 600W 50V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6VP61K25GSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 1.25KW ISM NI1230GS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRFE6VP61K25HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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