| 型號: | MRF9100R3 |
| 廠商: | MOTOROLA INC |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | GSM/EDGE 900 MHz, 110 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs |
| 中文描述: | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝: | NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù): | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 395K |
| 代理商: | MRF9100R3 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9100SR3 | 20 characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matric Character and Cursor |
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| MRF949T1 | Low Noise Transistor(低噪聲晶體管) |
| MRF9511LT1 | CAP CERAMIC 5.1PF 25V C0G 0201 |
| MRF957T1 | NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF9100SR3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:GSM/EDGE 900 MHz, 110 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs |
| MRF9120 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF9120LR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 120W 880MHZ NI860L FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF9120LR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 120W 880MHZ NI860L FET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF9120R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |