參數(shù)資料
型號(hào)： MRF9085LR3
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 880 MHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 491K
代理商： MRF9085LR3
3
MRF9085LR3 MRF9085LSR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - continued
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system)
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 700 mA,
f1 = 880.0 MHz, f2 = 880.1 MHz)
G
ps
17
17.9
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 700 mA,
f1 = 880.0 MHz, f2 = 880.1 MHz)
η
36
40
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 700 mA,
f1 = 880.0 MHz, f2 = 880.1 MHz)
IMD
—
-31
-28
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 700 mA,
f1 = 880.0 MHz, f2 = 880.1 MHz)
IRL
—
-21
-9
dB
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 700 mA,
f1 = 865.0 MHz, f2 = 865.1 MHz)
G
ps
—
17.9
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 700 mA,
f1 = 865.0 MHz, f2 = 865.1 MHz)
η
—
40.0
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 700 mA,
f1 = 865.0 MHz, f2 = 865.1 MHz)
IMD
—
-31
—
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W PEP, I
DQ
= 700 mA,
f1 = 865.0 MHz, f2 = 865.1 MHz)
IRL
—
-16
—
dB
Power Output, 1 dB Compression Point, CW
(V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 700 mA,
f1 = 880.0 MHz)
P
1dB
—
105
—
W
Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W CW, I
DQ
= 700 mA,
f1 = 880.0 MHz)
G
ps
—
17.5
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W CW, I
DQ
= 700 mA,
f1 = 880.0 MHz)
η
—
51
—
%
Output Mismatch Stress
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 90 W CW, I
DQ
= 700 mA,
f = 880.0 MHz, VSWR = 10:1, All Phase Angles at Frequency of Tests)
Ψ
No Degradation In Output Power
Power Output, 1 dB Compression Point, CW (1)
(V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 700 mA,
f1 = 960 MHz)
P
1dB
—
105
—
W
(1) These values are derived from a 960 MHz optimized test fixture. Values are not applicable to Figures 1 and 2.
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9085 RF Power MOSFETs(RF功率MOS場效應(yīng)管)
MRF9085R3 RF Power MOSFETs(RF功率MOS場效應(yīng)管)
MRF9085S RF Power MOSFETs(RF功率MOS場效應(yīng)管)
MRF9085SR3 RF Power MOSFETs(RF功率MOS場效應(yīng)管)
MRF9135L 36K SERIAL CONFIGURATION PROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9085LR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9085LR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 90W 880MHZ 26V NI780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9085LSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR LDMOS LTP COBRA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9085LSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 90W RF PWR LDMOS NI780LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9085S 制造商:Motorola Inc 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*