參數(shù)資料
型號(hào)： MRF9085
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-780, CASE 465-06, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 151K
代理商： MRF9085
3
MRF9085 MRF9085R3 MRF9085S MRF9085SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS – continued
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture)
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 700 mA,
f1 = 880.0 MHz, f2 = 880.1 MHz)
Gps
17
17.9
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 700 mA,
f1 = 880.0 MHz, f2 = 880.1 MHz)
η
36
40
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 700 mA,
f1 = 880.0 MHz, f2 = 880.1 MHz)
IMD
—
–31
–28
dBc
Input Return Loss
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 700 mA,
f1 = 880.0 MHz, f2 = 880.1 MHz)
IRL
9
21
—
dB
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 700 mA,
f1 = 865.0 MHz, f2 = 865.1 MHz)
Gps
—
17.9
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 700 mA,
f1 = 865.0 MHz, f2 = 865.1 MHz)
η
—
40.0
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 700 mA,
f1 = 865.0 MHz, f2 = 865.1 MHz)
IMD
—
–31
—
dBc
Input Return Loss
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W PEP, IDQ = 700 mA,
f1 = 865.0 MHz, f2 = 865.1 MHz)
IRL
—
16
—
dB
Power Output, 1 dB Compression Point
(VDD = 26 Vdc, CW, IDQ = 700 mA,
f1 = 880.0 MHz)
P1dB
—
105
—
W
Common–Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W CW, IDQ = 700 mA,
f1 = 880.0 MHz)
Gps
—
17.5
—
dB
Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W CW, IDQ = 700 mA,
f1 = 880.0 MHz)
η
—
51
—
%
Output Mismatch Stress
(VDD = 26 Vdc, Pout = 90 W CW, IDQ = 700 mA,
f = 880.0 MHz, VSWR = 10:1, All Phase Angles at Frequency of Tests)
Ψ
No Degradation In Output Power
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9085R3 RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MRF9085S RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MRF9085SR3 RF Power MOSFETs(RF功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
MRF9135L 36K SERIAL CONFIGURATION PROM
MRF9135LR3 36K SERIAL CONFIGURATION PROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9085LR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 90W 880MHZ 26V NI780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9085LR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9085LR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 90W 880MHZ 26V NI780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9085LSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR LDMOS LTP COBRA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9085LSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 90W RF PWR LDMOS NI780LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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