參數(shù)資料
型號： MRF9060
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 360B-05, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 393K
代理商： MRF9060
MRF9060R1 MRF9060SR1
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate–Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 200
μ
Adc)
V
GS(th)
2
2.9
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 26 Vdc, I
D
= 450 mAdc)
V
GS(Q)
—
3.7
—
Vdc
Drain–Source On–Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 1.3 Adc)
V
DS(on)
—
0.17
0.4
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 4 Adc)
g
fs
—
5.3
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
iss
—
98
—
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
oss
—
50
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
2
—
pF
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9060R1 4 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
MRF9060S 128K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM
MRF9060SR1 20 characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matric Character and Cursor
MRF9085LSR3 128K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM
MRF9085LR3 880 MHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF9060LR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W 1GHZ RFPWR FET NI360 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9060LR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9060LR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W 1GHZ RFPWR FET NI360 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9060LSR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W 945MHZ NI360S LOW AU RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9060LSR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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