參數(shù)資料
型號： MRF9030LSR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-360S, CASE 360C-05, 2 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 362K
代理商： MRF9030LSR1
MRF9030LR1 MRF9030LSR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (In Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 30 W PEP, IDQ = 250 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
Gps
18
19
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 30 W PEP, IDQ = 250 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
η
37
41.5
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD = 26 Vdc, Pout = 30 W PEP, IDQ = 250 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IMD
—
-32.5
-28
dBc
Input Return Loss
(VDD = 26 Vdc, Pout = 30 W PEP, IDQ = 250 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IRL
—
-15.5
-9
dB
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 30 W PEP, IDQ = 250 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
Gps
—
19
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 30 W PEP, IDQ = 250 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
η
—
41.5
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD = 26 Vdc, Pout = 30 W PEP, IDQ = 250 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IMD
—
-33
—
dBc
Input Return Loss
(VDD = 26 Vdc, Pout = 30 W PEP, IDQ = 250 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHz)
IRL
—
-14
—
dB
Power Output, 1 dB Compression Point
(VDD = 26 Vdc, Pout = 30 W CW, IDQ = 250 mA,
f1 = 945.0 MHz)
P1dB
—
30
—
W
Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 30 W CW, IDQ = 250 mA,
f1 = 945.0 MHz)
Gps
—
19
—
dB
Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 30 W CW, IDQ = 250 mA,
f1 = 945.0 MHz)
η
—
60
—
%
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