參數(shù)資料
型號(hào)： MRF9030D
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 該射頻亞微米MOSFET的線射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大小： 549K
代理商： MRF9030D
11
MRF9030LR1 MRF9030LSR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 360B-05
ISSUE F
NI-360
MRF9030LR1
G
E
C
SEATING
PLANE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
M
N
MIN
0.795
0.225
0.125
0.210
0.055
0.004
0.562 BSC
0.077
0.220
0.355
0.357
MAX
0.805
0.235
0.175
0.220
0.065
0.006
MIN
20.19
5.72
3.18
5.33
1.40
0.10
14.28 BSC
1.96
5.59
9.02
9.07
MAX
20.45
5.97
4.45
5.59
1.65
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.087
0.250
0.365
0.363
2.21
6.35
9.27
9.22
Q
R
S
0.125
0.227
0.225
0.005 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.135
0.233
0.235
3.18
5.77
5.72
0.13 REF
0.25 REF
0.38 REF
3.43
5.92
5.97
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
2
3
Q
2X
M
A
M
aaa
B
M
T
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
aaa
bbb
ccc
M
A
M
bbb
B
M
T
D
2X
K
2X
B
(FLANGE)
H
F
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
(INSULATOR)
A
T
N
(LID)
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
(INSULATOR)
M
A
M
aaa
B
M
T
CASE 360C-05
ISSUE D
NI-360S
MRF9030LSR1
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
M
N
R
MIN
0.375
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MAX
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MIN
9.53
5.72
2.67
5.33
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9.07
5.77
MAX
9.78
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1.70
MILLIMETERS
INCHES
0.115
0.365
0.363
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9.27
9.22
5.92
E
C
SEATING
PLANE
2
1
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
S
0.225
0.005 REF
0.010 REF
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5.97
aaa
bbb
ccc
H
F
M
A
M
ccc
B
M
T
R
(LID)
S
(INSULATOR)
M
A
M
aaa
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
D
2X
B
B
(FLANGE)
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
M
(INSULATOR)
T
N
(LID)
A
(FLANGE)
A
K
2X
PIN 3
F
Freescale Semiconductor, Inc.
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n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9030LR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9030LSR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9030MR1 The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF9060R1 4 MEGABIT 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION
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