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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF8P9040NR1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1486-03, WB-4, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 20/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 822K |
| 代理商： | MRF8P9040NR1 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8P9040NR1 MRF8P9040GNR1 MRF8P9040NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
IR
L,
IN
PU
T
RETU
RN
LO
SS
(d
B)
820
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak--to--Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ Pout = 4.0 Watts Avg.
--12
0
--3
--6
--9
15
20
19.5
19
--52
22
20
18
16
--47
--48
--49
--50
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
ηD
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 18.5
18
17.5
17
16.5
16
15.5
840
860
880
900
920
940
960
980
14
--51
--15
PARC
PA
RC
(d
B)
--0.3
0.1
0
--0.1
--0.2
--0.4
AC
PR
(d
Bc)
Figure 5. Intermodulation Distortion Products
versus Two--Tone Spacing
TWO--TONE SPACING (MHz)
10
--70
--20
--30
--40
--60
1
100
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--50
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IM7--L
IM7--U
VDD =28 Vdc,Pout = 45 W (PEP)
IDQ = 320 mA, Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 940 MHz
Figure 6. Output Peak--to--Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
--1
--3
--5
8
0
--2
--4
OU
TPU
T
CO
MPR
ESSION
AT
0.
01
%
PROBABILITY
ON
CCDF
(dB)
0
16
24
40
0
60
50
40
30
20
10
η
D,
DRA
IN
EF
FI
CIE
NCY
(%
)
--3 dB = 20 W
32
3.84 MHz Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
ηD
ACPR
PARC
AC
PR
(d
Bc)
--60
0
--10
--20
--40
--30
--50
21
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
20
19
18
17
16
15
Gps
VDD =28 Vdc,Pout =4.0 W(Avg.), IDQ = 320 mA
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability
on CCDF
--2 dB = 14 W
--1 dB = 11 W
VDD =28 Vdc,IDQ = 320 mA, f = 940 MHz
Single--Carrier W--CDMA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8P9040NBR1 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| MRF8P9040GNR1 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MRF8S18120HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S18120HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF8S18260HSR6 | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF8P9210NR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 900MHz 63W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P9300HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8-900 100W 28V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P9300HR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8-900 100W 28V NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF8P9300HR6_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8P9300HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8-900 100W 28V NI1230HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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