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參數資料
| 型號： | MRF857D |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 元件分類： | 振蕩器 |
| 英文描述： | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| 中文描述： | 14引腳DIP封裝，5.0伏，高速CMOS/TTL電平，時鐘振蕩器 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 181K |
| 代理商： | MRF857D |
MRF857S
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
15
14.5
14
830
910
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Performance of MRF857S in
Broadband Circuit
TYPICAL CHARACTERISTICS
13.5
13
12.5
12
840
850
860
870
880
890
900
Gpe
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
VSWR
VCC = 24 Vdc
IC = 300 mA
Pout = 2.1 W (CW)
4
3.5
3
0
Pin, INPUT POWER (WATTS)
Figure 3. MRF857S Output Power & Power Gain
versus Input Power
2.5
2
1.5
0
0.05
0.1
0.15
0.2
Gpe
16
15
14
13
12
11
8
Pout
VCC = 24 Vdc
IC = 300 mA
f = 870 MHz
1
0.5
0.25
0.3
0.35
0.4
10
9
1500
0
VCE (Vdc)
Figure 4. MRF857S DC SOA
0
Tj = 150 C
Tf = 50 C
1000
500
850
0
VCE (Vdc)
Figure 5. MRF857S DC SOA
(This device is MTBF limited for VCE 20 Vdc.)
50
0
Tj = 175 C
Tf = 50 C
800
750
700
650
600
550
1.00E+08
100
TJ, JUNCTION TEMPERATURE ( C)
Figure 6. MRF857S MTBF Factor versus
Junction Temperature
1.00E+07
1.00E+06
1.00E+05
1.00E+04
1.00E+03
1.00E+02
120
140
160
180
200
220
240
260
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
9.80E+06
2.01E+06
4.82E+05
1.32E+05
4.03E+04
1.37E+04
5.05E+03
8.67E+02
2.02E+03
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF857S | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| MRF891 | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| MRF891S | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| MRF9011 | The Rf Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |
| MRF9011L | The Rf Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRF857S | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| MRF858 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| MRF858S | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| MRF859 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| MRF859S | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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