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參數(shù)資料
| 型號： | MRF7S19210HR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/16頁 |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | MRF7S19210HR3 |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S19210HR3 MRF7S19210HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
P3dB = 55.27 dBm (337 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1400 mA, Pulsed CW
10
μsec(on), 10% Duty Cycle, f = 1930 MHz
56
54
52
37
39
38
Actual
Ideal
P1dB = 54.35 dBm (272 W)
57
55
51
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
53
58
59
60
35
34
33
30
32
31
50
29
Test Impedances per Compression Level
Zsource
Ω
Zload
Ω
P1dB
5.72 - j5.51
1.30 - j0.69
Figure 13. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V @ 1930 MHz
36
P3dB = 55.25 dBm (335 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1400 mA, Pulsed CW
10
μsec(on), 10% Duty Cycle, f = 1990 MHz
56
54
52
37
39
38
Actual
Ideal
P1dB = 54.29 dBm (269 W)
57
55
51
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
53
58
59
60
35
34
33
30
32
31
50
29
Test Impedances per Compression Level
Zsource
Ω
Zload
Ω
P1dB
6.20 + j1.19
1.09 - j046
Figure 14. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V @ 1990 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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