| 型號: | MRF7S19170HR3 | 
| 廠商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC | 
| 元件分類: | 功率晶體管 | 
| 英文描述: | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | 
| 封裝: | ROHS COMPLIANT, NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN | 
| 文件頁數(shù): | 13/13頁 | 
| 文件大?。?/td> | 408K | 
| 代理商: | MRF7S19170HR3 | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| MRF7S19170HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | 
| MRF7S19210HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | 
| MRF7S21080HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | 
| MRF7S21080HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | 
| MRF7S21110HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| MRF7S19170HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs | 
| MRF7S19170HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray | 
| MRF7S19170HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述: | 
| MRF7S19170HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray | 
| MRF7S19170HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |