參數(shù)資料
型號： MRF7S18170H
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管（N溝道增強型MOSFET的側(cè)）
文件頁數(shù)： 12/15頁
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代理商： MRF7S18170H
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S18170HR3 MRF7S18170HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
44
60
33
P3dB = 53.8 dBm (240 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA
Pulsed CW, 12
μ
sec(on),
10% Duty Cycle,
f = 1840 MHz
56
54
52
50
34
36
35
38
37
41
39
Actual
Ideal
57
55
51
53
40
42
43
32
P
o
,
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
58
59
P6dB = 54.1 dBm (257 W)
P1dB = 52.8 dBm (190 W)
Test Impedances per Compression Level
Z
source
Ω
Z
load
Ω
3dB
1.23 - j7.91
0.88 - j2.81
Figure 19. Pulsed CW Output Power
versus Input Power
44
61
33
P3dB = 54.65 dBm (290 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1400 mA
Pulsed CW, 12
μ
sec(on),
10% Duty Cycle,
f = 1840 MHz
57
55
53
51
34
36
35
38
37
41
39
Actual
Ideal
58
56
52
54
40
42
43
32
P
o
,
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
59
60
P6dB = 55 dBm (316.23 W)
P1dB = 54.05 dBm
(254.1 W)
Test Impedances per Compression Level
Z
source
Ω
Z
load
Ω
P3dB
1.23 - j7.91
1.03 - j2.65
Figure 20. Pulsed CW Output Power
versus Input Power
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF7S19080HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S19100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S19170HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S21080HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21150HR3 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF7S18170HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S18170HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S18170HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S18170HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S19080HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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