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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF6VP3450HSR6 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, CASE 375E-04, NI-1230S, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1077K |
| 代理商： | MRF6VP3450HSR6 |
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8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6VP3450HR6 MRF6VP3450HR5 MRF6VP3450HSR6 MRF6VP3450HSR5
TYPICAL CHARACTERISTICS — TWO--TONE
Figure 10. Intermodulation Distortion
Products versus Output Power
--80
--20
10
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD =50 Vdc,IDQ = 1400 mA, f1 = 854 MHz
f2 = 860 MHz, Two--Tone Measurements
3rd Order
--40
--50
--60
100
1000
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--70
5th Order
5
Figure 11. Intermodulation Distortion
Products versus Tone Spacing
10
--10
0.1
7th Order
TWO--TONE SPACING (MHz)
5th Order
3rd Order
--30
--40
--50
160
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
Figure 12. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
21
23
50
IDQ = 1400 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
22.6
21.4
500
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B)
22.2
21.8
1250 mA
VDD = 50 Vdc, f1 = 859.9 MHz, f2 = 860 MHz
Two--Tone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
Figure 13. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
--25
--30
--40
--45
--50
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
IM
D,
TH
IRD
O
RDE
R
--20
VDD = 50 Vdc, f1 = 859.9 MHz, f2 = 860 MHz
Two--Tone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
500
50
--70
--20
VDD =50 Vdc,Pout = 450 W (PEP), IDQ = 1400 mA
Two--Tone Measurements
IDQ = 700 mA
975 mA
1075 mA
--35
--30
--60
22.8
22.4
22
21.6
21.2
700 mA
975 mA
1075 mA
1250 mA
1400 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6VP41KHSR6 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7P20040HR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7P20040HSR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S15100HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S15100HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MRF6VP41KHR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6VP41KHR7 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6VP41KHR7 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER FET N CH 110V 375D-05 |
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