參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6V3090NBR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4
文件頁(yè)數(shù)： 14/17頁(yè)
文件大小： 928K
代理商： MRF6V3090NBR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
TYPICAL CHARACTERISTICS — TWO--TONE
Figure 9. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
--70
--10
10
7th Order
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
VDD =50 Vdc,IDQ = 350 mA, f1 = 854 MHz
f2 = 860 MHz, Two--Tone Measurements
3rd Order
--20
--30
--40
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
--60
5th Order
1
--50
Figure 10. Intermodulation Distortion
Products versus Tone Spacing
10
--20
1
7th Order
TWO--TONE SPACING (MHz)
5th Order
3rd Order
--35
--45
--55
90
IM
D,
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
Figure 11. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
20
23.5
1
IDQ = 450 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
23
20.5
10
100
G
ps
,P
OWER
GAIN
(d
B) 22.5
21.5
VDD = 50 Vdc, f1 = 854 MHz, f2 = 860 MHz
Two--Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
Figure 12. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
VDD = 50 Vdc, f1 = 854 MHz, f2 = 860 MHz
Two--Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
100
1
--65
--25
IDQ = 250 mA
300 mA
VDD =50 Vdc,Pout = 90 W (PEP), IDQ = 350 mA
Two--Tone Measurements
--30
--40
--50
--60
350 mA
300 mA
250 mA
22
21
350 mA
450 mA
--20
--40
--50
--60
--10
--30
INT
ERM
O
DULA
TIO
N
DIST
O
RT
ION
(dBc
)
IM
D,
TH
IRD
O
RDE
R
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PDF描述
MRF6V3090NR5 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
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參數(shù)描述
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