參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6V2300N
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 215K
代理商： MRF6V2300N
MRF6V2300N MRF6V2300NB
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
400
24
27.5
0
10
80
V
DD
= 50 Vdc
I
DQ
= 900 mA
f = 220 MHz
100
50
27
26
25
70
60
50
40
30
20
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 1. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
G
p
,
η
D
D
150
G
ps
η
D
400
23
28
0
V
DD
= 50 Vdc
f = 220 MHz
100
50
27
26
25
24
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 2. Power Gain versus Output Power
G
p
,
150
I
DQ
= 990 mA
1090 mA
720 mA
810 mA
900 mA
100
50
20
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 3. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power
25
30
35
40
50
200
I
D
150
V
DD
= 50 Vdc, I
DQ
= 900 mA
f1 = 220 MHz, f2 = 220.1 MHz
TwoTone Measurements
35
35
60
10
25 C
30 C
85 C
25
15
50
45
40
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Figure 4. Output Power versus Input Power
over Temperature
P
o
,
V
DD
= 50 Vdc
I
DQ
= 900 mA
f = 220 MHz
20
30
26.5
25.5
24.5
200
250
300
350
200
250
300
350
55
45
IM3L
IM3U
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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