參數(shù)資料
型號： MRF6S9125MR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： PLASTIC, CASE 1486-03, 5 PIN
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大小： 590K
代理商： MRF6S9125MR1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc),
AL
T1
(dBc)
25
20
910
850
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout = 27 Watts Avg.
890
880
870
860
18.5
20.5
20.3
70
34
32
30
40
50
60
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
20
19.8
19.5
19.3
19
30
900
ALT1
15
10
5
VDD = 28 Vdc, Pout = 27 W (Avg.)
IDQ = 950 mA, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc),
AL
T1
(dBc)
25
20
910
850
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ Pout = 62.5 Watts Avg.
900
890
880
870
860
18
19.6
19.4
70
52
48
44
40
50
60
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
19.2
19
18.8
18.6
18.4
30
15
10
5
VDD = 28 Vdc, Pout = 62.5 W (Avg.)
IDQ = 950 mA, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
16
22
IDQ = 1475 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
20
18
10
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
21
19
1187 mA
950 mA
1
300
VDD = 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two Tone Measurements, 100 MHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
30
10
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
20
100
60
40
INTERMODULA
TION
DIST
O
R
T
ION
(dBc)
IMD,
THIRD
ORDER
50
18.2
40
17
712 mA
475 mA
18.8
28
ηD
ALT1
300
IDQ = 1425 mA
1187 mA
950 mA
712 mA
475 mA
VDD = 28 Vdc
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two Tone Measurements, 100 MHz Tone Spacing
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PDF描述
MRF6S9125NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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MRF6S9130HSR3 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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