參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9125
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 10/16頁(yè)
文件大小： 480K
代理商： MRF6S9125
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1 MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
f = 860 MHz
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
860
865
870
875
880
885
890
895
1.48 - j0.14
1.56 - j0.09
1.66 - j0.02
1.73 + j0.04
0.62 - j2.13
0.64 - j2.31
0.62 - j2.45
0.59 - j2.43
0.57 - j2.42
0.54 - j2.36
0.57 - j2.18
0.58 - j1.94
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA, P
out
= 27 W Avg.
1.74 + j0.11
1.68 + j0.19
1.61 + j0.25
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
1.52 + j0.33
900
1.48 + j0.37
0.59 - j1.86
Z
o
= 5
f = 900 MHz
Z
source
f = 900 MHz
f = 860 MHz
Z
load
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PDF描述
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