參數(shù)資料
型號： MRF6S9045NR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 6/16頁
文件大?。?/td> 530K
代理商： MRF6S9045NR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
I
A
30
25
910
850
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 10 Watts Avg.
900
890
880
870
860
21
23
22.8
70
35
34
33
50
55
60
η
D
,
E
η
D
22.6
22.4
22.2
22
21.8
45
ALT1
20
15
5
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W (Avg.)
I
DQ
= 350 mA, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
21.6
21.4
21.2
32
31
65
10
G
p
,
I
A
30
910
850
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 20 Watts Avg.
900
890
880
870
860
20.8
22.6
22.4
60
48
47
40
45
50
η
D
,
E
22.2
22
21.8
21.6
21.4
35
25
20
5
21.2
21
46
45
55
15
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
19
24
I
DQ
= 520 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
22
20
10
G
p
,23
21
475 mA
350 mA
1
300
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
275 mA
175 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
30
10
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
20
100
70
40
I
I
I
DQ
= 175 mA
275 mA
50
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
475 mA
520 mA
350 mA
10
0.5
60
IRL
G
ps
ACPR
η
D
ALT1
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 20 W (Avg.)
I
DQ
= 350 mA, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
相關PDF資料
PDF描述
MRF6S9045NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060MR1 CAP 10PF 200V 200V X7R RAD.20 .20X.20 BULK P-MIL-PRF-39014
MRF6S9060 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
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MRF6S9060N 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MRF6S9060N - Bulk
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