參數(shù)資料
型號： MRF6S9045
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 8/16頁
文件大?。?/td> 530K
代理商： MRF6S9045
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
24
1
0
80
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 350 mA
f = 880 MHz
T
C
= 30 C
30 C
85 C
10
23
22
20
18
70
60
50
40
30
20
η
D
,
D
G
ps
η
D
G
p
,
Figure 12. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
V
DD
= 12 V
16 V
G
p
,
100
17.5
23.5
0
80
20
23
21
20.5
20
19.5
19
40
60
22
21.5
22.5
I
DQ
= 350 mA
f = 880 MHz
21
19
17
16
10
25 C
10
18.5
18
30
50
70
90
20 V
24 V
28 V
32 V
85 C
25 C
210
10
9
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
10
8
10
7
10
6
M
2
)
90
110
130
150
170
190
100
120
140
160
180
200
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PDF描述
MRF6S9045MBR1 RF Power Field Effect Transistors
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