參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S27085HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 392K
代理商： MRF6S27085HSR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S27085HR3 MRF6S27085HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
70
30
40
45
50
60
35
55
65
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
60
0
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
VDD = 28 Vdc, Pout = 85 W (PEP), IDQ = 900 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2645 MHz
5th Order
3rd Order
10
20
30
40
50
1
100
Figure 8. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
Figure 9. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1,
Power Gain and Drain Efficiency versus Output
Power
5
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. WCDMA
45
35
30
10
100
20
40
56
31
Pin, INPUT POWER (dBm)
54
52
50
46
32
34
33
36
35
39
37
55
51
53
49
38
30
0
20
5
45
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD = 28 Vdc, IDQ = 900 mA
f = 2645 MHz
10
17.5
15
10
5
2.5
40
30
25
20
15
10
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD = 24 V
ACPR
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
ACPR
(dBc),
AL
T1
(dBc)
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
11
16
1
100
13
12
10
15
14
IDQ = 900 mA
f = 2645 MHz
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
48
47
ηD
100
32 V
Actual
Ideal
P1dB = 51 dBm (126.74 W)
P3dB = 51.72 dBm (148.54 W)
40
25
15
VDD = 28 Vdc, IDQ = 900 mA, f = 2645 MHz
SingleCarrier NCDMA, 1.2288 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
ALT1
12.5
7.5
35
28 V
Gps
VDD = 28 Vdc, IDQ = 900 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 2645 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S27085HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S9045MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S9045MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
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