參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S21140HSR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 469K
代理商： MRF6S21140HSR3
MRF6S21140HR3 MRF6S21140HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
210
10
10
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
10
9
10
8
10
7
110
130
150
170
190
M
2
)
100
120
140
160
180
200
TYPICAL CHARACTERISTICS
W-CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 13. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
Figure 14. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
3.84 MHz
Channel BW
IM3 @
3.84 MHz BW
+IM3 @
3.84 MHz BW
ACPR @
3.84 MHz BW
+ACPR @
3.84 MHz BW
P
(
+20
+30
0
10
40
50
60
70
80
20
20
5
15
10
0
5
10
15
20
25
25
30
WCDMA. 3.84 MHz Channel Bandwidth @ +5 MHz
Offset. IM3 Measured in 3.84 MHz Bandwidth @
+10 MHz Offset. Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
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PDF描述
MRF6S23100H RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23100HR3 RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23100Hxx RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23100HSR3 RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF6S21190H 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21190HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.1GHZ 54W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21190HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.1GHZ 54W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21190HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.1GHZ 54W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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