參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S21050LR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大小： 429K
代理商： MRF6S21050LR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21050LR3 MRF6S21050LSR3
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
2080
2090
2100
2110
2120
2130
2140
2150
2160
2170
2180
2190
2200
Z
source
4.09 - j14.65
3.74 - j13.95
3.95 - j13.36
4.44 - j13.00
5.03 - j12.89
5.55 - j13.05
5.76 - j13.26
5.57 - j13.70
4.86 - j13.92
4.04 - j13.61
3.69 - j12.91
3.91 - j12.44
4.41 - j12.32
Z
load
2.36 - j7.52
2.25 - j7.11
2.40 - j6.78
2.68 - j6.59
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 450 mA,
P
out
= 11.5 W Avg.
2.99 - j6.52
3.26 - j6.64
3.32 - j6.68
3.20 - j6.87
2.82 - j6.93
2.44 - j6.70
2.33 - j6.29
2.49 - j6.05
2.77 - j5.96
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 2200 MHz
f = 2080 MHz
Z
source
f = 2200 MHz
f = 2080 MHz
Z
load
Z
o
= 25
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PDF描述
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MRF6S21060NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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