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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S19140HSR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | N溝道增強型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 399K |
| 代理商： | MRF6S19140HSR3 |
MRF6S19140HR3 MRF6S19140HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
I
I
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
η
D
,
E
I
I
2000
1910
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 29 Watts Avg.
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 29 W (Avg.), I
DQ
= 1150 mA
2Carrier NCDMA, 2.5 MHz Carrier Spacing,
1.2288 MHz Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
1970
1950
1930
0
20
18
16
14
12
8
6
4
100
40
30
20
10
10
20
40
60
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 75 Watts Avg.
2
1910
18
16
12
10
8
6
4
80
50
30
20
0
20
40
60
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
100
12
18
1
I
DQ
= 1700 mA
1500 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
900 mA
16
15
13
10
400
10
1
100
20
30
40
1000
60
50
10
η
D
,
E
η
D
η
D
G
p
,
G
p
,
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
p
,
I
I
10
2
1920
1940
1960
1980
1990
0
80
14
2000
1970
1950
1930
1920
1940
1960
1980
1990
40
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 75 W (Avg.), I
DQ
= 1150 mA
2Carrier NCDMA, 2.5 MHz Carrier Spacing,
1.2288 MHz Channel Bandwidth, PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
17
14
1150 mA
600 mA
I
DQ
= 1700 mA
1500 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
900 mA
1150 mA
600 mA
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