參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S19140HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 399K
代理商： MRF6S19140HR3
MRF6S19140HR3 MRF6S19140HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 1. MRF6S19140HR3(HSR3) Test Circuit Schematic
Z7
Z8
Z9
Z10
PCB
0.115
″
x 0.569
″
Microstrip
0.191
″
x 0.289
″
Microstrip
0.681
″
x 0.081
″
Microstrip
1.140
″
x 0.081
″
Microstrip
Arlon GX0300-55-22, 0.030
″
,
ε
r
= 2.5
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
0.864
″
x 0.082
″
Microstrip
1.373
″
x 0.082
″
Microstrip
0.282
″
x 0.900
″
Microstrip
0.103
″
x 0.900
″
Microstrip
0.094
″
x 1.055
″
Microstrip
0.399
″
x 1.055
″
Microstrip
RF
INPUT
RF
OUTPUT
C7
DUT
Z1
C1
R3
R1
V
BIAS
R5
B1
C13
+
C3
Z2
Z3
V
BIAS
C8
R4
R2
R6
B2
C14
+
C4
Z4
Z5
Z6
Z7
C5
C9
C11
C15
+
V
SUPPLY
Z8
Z9
C2
Z10
V
SUPPLY
C6
C10
C12
Table 5. MRF6S19140HR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
B1, B2
Beads, Surface Mount
C1, C2
39 pF Chip Capacitors
C3, C4, C5, C6
9.1 pF Chip Capacitors
C7, C8, C9, C10, C11, C12
10
μ
F, 50 V Chip Capacitors (2220)
C13, C14
47
μ
F, 50 V Electrolytic Capacitors
C15
470
μ
F, 63 V Electrolytic Capacitor
R1, R2
560 k
, 1/8 W Chip Resistors (1206)
R3, R4
1.0 k
, 1/8 W Chip Resistors (1206)
R5, R6
12
, 1/8 W Chip Resistors (1206)
Description
Part Number
Manufacturer
Fair-Rite
ATC
ATC
Murata
Nippon
United Chemi-Co
Dale/Vishay
Dale/Vishay
Dale/Vishay
2743019447
100B390JP500X
100B9R1CP500X
GRM55DR61H106KA88B
MVK50VC47RM8X10TP
SME63V471M12X25LL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S19140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S20010GNR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21050LR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21050LSR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21060NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S19140HR3_07 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19140HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 28V 29W LDMOS NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S19140HS 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF6S19140HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 28V29W LDMOS NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S19140HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 28V29W LDMOS NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*