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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF6S19100NBR1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 606K |
| 代理商： | MRF6S19100NBR1 |
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MRF6S19100NR1 MRF6S19100NBR1
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S19120HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S19120HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S19140HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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| MRF6S19200HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MRF6S19120H | 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S19120HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 19W N-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S19120HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 19W N-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S19120HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 19W N-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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