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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S18140HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 435K |
| 代理商： | MRF6S18140HSR3 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
Figure 2. MRF6S18140HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
+
C8
R5
R1
B1
R3
C6
C4
C1
C9
R6
R4
B2
R2
C5
C3
C11
C14 C15
C2
C10
C12 C13
C16
CUT
OUT
AREA
MRF6S18140H/HS
Rev. 1
+
C7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S19060NR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MRF6S19060NBR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| MRF6S19100HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S19100HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S19100NR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF6S18140HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S1900HSR3 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF6S19060GN | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MRF6S19060GN - Bulk |
| MRF6S19060GNR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 12W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S19060MBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 12W TO272-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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