參數(shù)資料
型號(hào)： MRF658
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： MRF658
MRF658
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
0
+j2
+j5
+j10
+j20
+j30
+j50
+j100
520
f = 400 MHz
460
ZIN
Zo = 10
2
5
10
20
30
50
f
MHz
ZIN
OHMS
ZOL*
OHMS
400
440
480
520
0.62 + j2.8
0.72 + j3.1
0.81 + j3.3
0.90 + j3.6
1.20 + j2.5
1.10 + j2.8
0.94 + j3.1
0.80 + j3.4
VCC = 12.5 V
Po = 70 W
0
+j2
+j5
+j10
+j20
+j30
+j50
+j100
520
f = 400 MHz
460
ZOL*
Zo = 10
2
5
10
20
30
50
ZOL* = Conjugate of optimum load impedance into
ZOL* =
which the device operates at a given output
ZOL* =
power, voltage and frequency.
Figure 5. Series Equivalent Input and Output Impedances
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MRF6P18190HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 1.8GHZ 44W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6P21190HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 44W W/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6P21190HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 44W W/CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6P21190HR6_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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