參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6522-70R3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： 射頻MOSFET線的射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 510K
代理商： MRF6522-70R3
MRF6522-70R3
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
17.5
15.0
Figure 3. Power Gain versus Output Power
10
15.5
16.0
Figure 4. Power Gain versus Output Power
100
10
18.0
17.6
16.2
16.6
17.4
16.0
16.5
17.0
100
G
V
DS
= 26 Vdc
f = 921 MHz
Figure 5. Output Power versus Supply Voltage
Figure 6. Output Power versus Supply Voltage
Figure 7. Efficiency and Output Power
versus Input Power
200 mA
300 mA
400 mA
500 mA
I
DQ
= 600 mA
16.4
16.8
17.2
17.0
17.8
V
DS
= 26 Vdc
f = 960 MHz
200 mA
300 mA
400 mA
500 mA
I
DQ
= 600 mA
G
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
115
4518
55
75
85
105
28
P
20
22
24
26
65
95
I
DQ
= 400 mA
f = 921 MHz
P
in
= 5.0 W
3.0 W
4.0 W
2.0 W
V
DD
, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
105
18
55
75
85
95
28
P
20
22
24
26
45
65
I
DQ
= 400 mA
f = 960 MHz
P
in
= 5.0 W
3.0 W
4.0 W
2.0 W
35
P
in
, INPUT POWER (WATTS)
80
0
20
40
50
70
2.0
,
0.5
1.0
1.5
10
30
60
V
DS
= 26 Vdc
I
DQ
= 400 mA
f = 921 MHz
0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
P
P
out
19
21
23
25
27
27
19
21
23
25
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述
MRF6P18190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF652-A 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF652S 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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