參數(shù)資料
型號: MRF5S21130R3
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述: S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN
文件頁數(shù): 4/12頁
文件大?。?/td> 410K
代理商: MRF5S21130R3
MRF5S21130 MRF5S21130R3 MRF5S21130S MRF5S21130SR3
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. MRF5S21130 Test Circuit Component Layout
MRF5S21130
Rev 0
C
相關PDF資料
PDF描述
MRF5S21130S The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130SR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21150 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150S RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150R3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S21130S 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130SR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21150 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150HR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S21150HR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR