參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S21100HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
中文描述： 將使用的AB類的PCN-PCS/cellularradio和WLL應(yīng)用。
文件頁數(shù)： 7/12頁
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代理商： MRF5S21100HR3
MRF5S21100HR3 MRF5S21100HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2100
2120
2160
1.2 - j2.1
2.2 - j3.0
1.4 - j2.3
3.4 - j7.2
3.4 - j6.5
4.9 - j7.0
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1050 mA, P
out
= 23 W Avg.
Z
o
= 10
Z
load
f = 2100 MHz
f = 2200 MHz
Z
source
f = 2100 MHz
f = 2200 MHz
2200
1.7 - j2.1
3.4 - j8.6
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21100LR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21100LSR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21100HSR3 To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
MRF5S21130HSR3 To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
MRF5S21130HR3 To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S21100HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21100HSR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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MRF5S21100LR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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