參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S19060MR1
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
封裝： PLASTIC, CASE 1486-03, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 15/16頁(yè)
文件大?。?/td> 498K
代理商： MRF5S19060MR1
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S19060MR1 MRF5S19060MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
210
109
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2 for MTTF in a particular application.
108
107
106
120
140
160
180
200
MTTF
FACT
OR
(HOURS
X
AMPS
2 )
100 110
130
150
170
190
N-CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAK TO AVERAGE (dB)
Figure 13. 2-Carrier CCDF N-CDMA
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
IS 95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13) 1.2288 MHz Channel Bandwidth
Carriers. ACPR Measured in 30 kHz Bandwidth @
±885 kHz Offset. IM3 Measured in 1.2288 MHz
Bandwidth @
±2.5 MHz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on CCDF.
PROBABILITY
(%)
f, FREQUENCY (MHz)
100
0
Figure 14. 2-Carrier N-CDMA Spectrum
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ACPR in 30 kHz
Integrated BW
+ACPR in 30 kHz
Integrated BW
IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
+IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
6
1.5
4.5
3
0
1.5
3
4.5
6
7.5
(dB)
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PDF描述
MRF5S19060NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
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MRF5S19060NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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參數(shù)描述
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