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參數資料
| 型號： | MRF5836HXV |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 557K |
| 代理商： | MRF5836HXV |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA18J05Z | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA13J05Z | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS5306TRF | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6532TRF | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA18TRH | 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRF586 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MRF586G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF586G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| MRF587 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| MRF5943 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MRF5943C | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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