| 型號: | MRF5583HX |
| 廠商: | MOTOROLA INC |
| 元件分類: | 小信號晶體管 |
| 英文描述: | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大小: | 121K |
| 代理商: | MRF5583HX |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJ10024 | 20 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| MMBF5459S62Z | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| MJE13009C | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPSA13-STYLE-H | 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2369A/D11Z | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF559 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MRF559G | 功能描述:TRANS NPN 16V 150MA MACRO X RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| MRF559GT | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF559GT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| MRF559LF | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MRF559T | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF559T - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |