參數(shù)資料
型號(hào)： MRF21125SR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大小： 437K
代理商： MRF21125SR3
MRF21125R3 MRF21125SR3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Two-Tone Performance (In Freescale Test Fixture)
Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD = 28 Vdc, Pout = 125 W PEP, IDQ = 1600 mA, f1 = 2110 MHz,
f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
Gps
—
12
—
dB
Drain Efficiency
(VDD = 28 Vdc, Pout = 125 W PEP, IDQ = 1600 mA, f1 = 2110 MHz,
f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
η
—
34
—
%
Intermodulation Distortion
(VDD = 28 Vdc, Pout = 125 W PEP, IDQ = 1600 mA, f1 = 2110 MHz,
f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IMD
—
-30
—
dBc
Typical CW Performance
Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD = 28 Vdc, Pout = 125 W CW, IDQ = 1600 mA, f1 = 2170.0 MHz)
Gps
—
11.5
—
dB
Drain Efficiency
(VDD = 28 Vdc, Pout = 125 W CW, IDQ = 1600 mA, f = 2170.0 MHz)
η
—
46
—
%
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