- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98036 > MRF19125SR3 (FREESCALE SEMICONDUCTOR INC) L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MRF19125SR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 388K |
| 代理商： | MRF19125SR3 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF19125SR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests (In Freescale Test Fixture)
Two-Tone Common-Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 125 W PEP, IDQ = 1300 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
Gps
—
13.5
—
dB
Two-Tone Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 125 W PEP, IDQ = 1300 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
η
—
35
—
%
Third Order Intermodulation Distortion
(VDD = 26 Vdc, Pout = 125 W PEP, IDQ = 1300 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IMD
—
-30
—
dBc
Input Return Loss
(VDD = 26 Vdc, Pout = 125 W PEP, IDQ = 1300 mA, f1 = 1930 MHz,
f2 = 1990 MHz, Tone Spacing = 100 kHz)
IRL
—
-13
—
dB
Pout, 1 dB Compression Point
(VDD = 26 Vdc, IDQ = 1300 mA, f = 1990 MHz)
P1dB
—
130
—
W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF21045LSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF21045R3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF21045SR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF21045R3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF21085SR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF1946 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MRF1946A | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MRF1A(AMMO) | 制造商:Bel Fuse 功能描述:FUSE |
| MRF1K50GNR5 | 功能描述:WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.8MHz ~ 500MHz 增益:23dB 電壓 - 測試:50V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 功率 - 輸出:1500W 電壓 - 額定:50V 封裝/外殼:OM-1230G-4L 供應(yīng)商器件封裝:OM-1230G-4L 標準包裝:1 |
| MRF1K50HR5 | 功能描述:HIGH POWER RF TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.8MHz ~ 500MHz 增益:22.5dB 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 功率 - 輸出:1500W 電壓 - 額定:50V 封裝/外殼:SOT-979A 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230-4H 標準包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。