| 型號: | MRF1004MA |
| 廠商: | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類: | 小信號晶體管 |
| 英文描述: | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| 中文描述: | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大小: | 19K |
| 代理商: | MRF1004MA |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF1004 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| MRF138 | N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET |
| MRF141 | RF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR |
| MRF141 | N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET |
| MRF148A | N-Channel Enhancement Mode VHF POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF1004MB | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| MRF10070 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MICROWAVE POWER TRANSISTOR |
| MRF100B | 制造商:Universal 功能描述:URC RF Power Blaster 制造商:UNIVERSAL 功能描述:URC RF POWER BLASTER 6 DEVICE IR/RF BLASTER |
| MRF10120 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| MRF10150 | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 3PIN CASE 376B-02 - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |