參數(shù)資料
型號： MRF1001A
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
封裝： M246, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： MRF1001A
MSC1311.PDF 10-25-99
MRF1001A
FUNCTIONAL
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
G
U max
Maximum Unilateral Gain (1)
IC = 90 mAdc, VCE = 14Vdc,
f = 300 MHz
-
11.5
-
dB
MAG
Maximum Available Gain
IC = 90 mAdc, VCE = 14Vdc,
f = 300 MHz
-
11.7
-
dB
|S
21
|
2
Insertion Gain
IC = 90 mAdc, VCE = 14Vdc,
f = 300 MHz
10
11.13
-
dB
Table 1. Common Emitter S-Parameters, @ VCE = 14 V, IC = 90 mA
f
(MHz)
100
S11
S21
S12
S22
|S11|
.165
∠ φ
-17
|S21|
9.7
∠ φ
98
|S12|
.058
∠ φ
79
|S22|
.411
∠ φ
-32
200
.113
-77
5.2
80
.115
73
.302
-36
300
.061
63
3.6
76
.169
76
.298
-42
400
.003
-49
2.7
66
.225
68
.287
-67
500
.063
117
2.3
57
.281
61
.235
-80
600
.069
140
1.9
54
.320
60
.245
-90
700
.135
150
1.9
48
.397
58
.232
-104
800
.179
144
1.7
39
.447
49
.237
-124
900
.282
146
1.6
33
.476
44
.215
-157
1000
.362
132
1.5
36
.510
47
.220
-177
相關PDF資料
PDF描述
MRF1001 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
MRF331 The RF Line
MRF449 RF POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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