- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359659 > MR2S16ACTS35C (飛思卡爾半導體(中國)有限公司) 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MR2S16ACTS35C |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| 中文描述： | 256K x 16位的3.3V異步磁阻隨機存取內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 6/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 154K |
| 代理商： | MR2S16ACTS35C |
MR2A16A Data Sheet, Rev. 4
6
Freescale Semiconductor
Electrical Specifications
Direct Current (dc)
Table 5. dc Characteristics
Parameter
Symbol
I
lkg(I)
I
lkg(O)
Min
—
—
Typ
—
—
Max
±
1
±
1
Unit
μ
A
μ
A
Input leakage current
Output leakage current
Output low voltage
(I
OL
= +4 mA)
(I
OL
= +100
μ
A)
Output high voltage
(I
OH
= –4 mA)
(I
OH
= –100 mA)
V
OL
—
—
0.4
V
SS
+ 0.2
V
V
OH
2.4
V
DD
– 0.2
—
—
V
Table 6. Power Supply Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Unit
ac active supply current — read modes
1
(I
Out
= 0 mA, V
DD
= max)
MR2A16ATS35C (Commercial)
MR2A16ACYS35 (Industrial)
MR2A16AVYS35 (Extended)
ac active supply current — write modes
1
(V
DD
= max)
MR2A16ATS35C (Commercial)
MR2A16ACYS35 (Industrial)
MR2A16AVYS35 (Extended)
ac standby current
(V
DD
= max, E = V
IH
)
(no other restrictions on other inputs)
MR2A16ATS35C (Commercial)
MR2A16ACYS35 (Industrial)
MR2A16AVYS35 (Extended)
CMOS standby current
(E
≥
V
DD
– 0.2 V and V
In
≤
V
SS
+ 0.2 V or
≥
V
DD
– 0.2 V)
(V
DD
= max, f = 0 MHz)
MR2A16ATS35C (Commercial)
MR2A16ACYS35 (Industrial)
MR2A16AVYS35 (Extended)
I
DDR
55
TBD
TBD
80
TBD
TBD
mA
I
DDW
105
TBD
TBD
155
TBD
TBD
mA
I
SB1
18
TBD
TBD
28
TBD
TBD
mA
I
SB2
9
TBD
TBD
12
TBD
TBD
mA
NOTES:
1
All active current measurements are measured with one address transition per cycle.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MR2S16AVTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR4A08ACTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR4A08AVTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR4A16ACTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR4S08ACTS35C | 256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MR2S16ACYS35 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2S16AVTS35C | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2S16AVYS35 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR2S16AYS35 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM |
| MR-3 | 功能描述:SENSOR CURRENT ID11.0MM OD30.5MM 制造商:kemet 系列:MR 零件狀態(tài):有效 匝數(shù)比 - 初級:次級:* 頻率:* 電感:- 額定電流:- DC 電阻（DCR）:- E.T.:- 安裝類型:底座安裝 大小/尺寸:1.201" 長 x 1.102" 寬（30.50mm x 28.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.413"（10.50mm） 端子類型:導線引線 標準包裝:50 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。