| 型號(hào): | MPTE-12B |
| 元件分類(lèi): | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商: | MPTE-12B |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPTE-8CB | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MPTE-18T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MPTE-5T | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MQ1N5913BUR-1A | 3.3 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
| MQ1N5913BUR-1BTR | 3.3 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPTE-12C | 制造商:MDE 制造商全稱(chēng):MDE Semiconductor, Inc. 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
| MPTE-12C (1N6384) | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 - RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| MPTE-12G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors |
| MPTE-12RL4 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 12V 1500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| MPTE-12RL4G | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 12V 1500W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |