型號(hào): | MPSW45RLREG |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | One Watt Darlington Transistors NPN Silicon |
中文描述: | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封裝: | LEAD FREE, CASE 29-10, TO-226, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 5/6頁(yè) |
文件大小: | 81K |
代理商: | MPSW45RLREG |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MPTE-10 | 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors |
MPTE-12 | 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors |
MPTE-15 | 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors |
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MPTE-22 | 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MPSW51_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Current Transistors |
MPSW51A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW51AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPSW51ARLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |