參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW45RLRE
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
中文描述： 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-10, TO-226, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： MPSW45RLRE
MPSW45, MPSW45A
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, V
BE
= 0)
MPSW45
MPSW45A
V
(BR)CES
40
50
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
MPSW45
MPSW45A
V
(BR)CBO
50
60
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
12
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 40 Vdc, I
E
= 0)
MPSW45
MPSW45A
I
CBO
100
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 10 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 1)
DC Current Gain
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 500 mAdc, V
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
h
FE
25,000
15,000
4,000
150,000
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
CE(sat)
1.5
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
BE(sat)
2.0
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
V
BE(on)
2.0
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
100
MHz
CollectorBase Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
1. Pulse Test: Pulse Width
C
cb
6.0
pF
300 s; Duty Cycle
2.0%.
R
S
i
n
e
n
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW45RLREG One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPTE-10 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
MPTE-12 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
MPTE-15 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
MPTE-18 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW45RLREG 功能描述:達(dá)林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPSW51 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 40V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Current Transistors
MPSW51A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW51AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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