參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW45AZL1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
中文描述： 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE, CASE 29-10, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： MPSW45AZL1
MPSW45, MPSW45A
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, V
BE
= 0)
MPSW45
MPSW45A
V
(BR)CES
40
50
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
MPSW45
MPSW45A
V
(BR)CBO
50
60
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
12
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 40 Vdc, I
E
= 0)
MPSW45
MPSW45A
I
CBO
100
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 10 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 1)
DC Current Gain
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 500 mAdc, V
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
h
FE
25,000
15,000
4,000
150,000
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
CE(sat)
1.5
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
BE(sat)
2.0
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
V
BE(on)
2.0
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
100
MHz
CollectorBase Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
1. Pulse Test: Pulse Width
C
cb
6.0
pF
300 s; Duty Cycle
2.0%.
R
S
i
n
e
n
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSW45AZL1G One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPSW45G One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPSW45RLRE One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPSW45RLREG One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPTE-10 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSW45AZL1G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPSW45G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPSW45RLRE 功能描述:達(dá)林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPSW45RLREG 功能描述:達(dá)林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPSW51 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 40V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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