參數(shù)資料
型號(hào)： MPSH24
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： VHF Transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 124K
代理商： MPSH24
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
30
Vdc
Collector–Base Voltage
40
Vdc
Emitter–Base Voltage
4.0
Vdc
Collector Current – Continuous
50
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
350
2.8
mW
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +135
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
357
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
30
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
40
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.0
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 15 Vdc, IE = 0)
ON CHARACTERISTICS
ICBO
—
—
50
nAdc
DC Current Gain
(IC = 8.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
hFE
30
—
—
—
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 8.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
400
620
—
MHz
Collector–Base Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
—
0.25
0.36
pF
Conversion Gain
(213 MHz to 45 MHz)
(IC = 8.0 mAdc, VCC = 20 Vdc, Oscillator Injection = 150 mVrms)
(60 MHz to 45 MHz)
(IC = 8.0 mAdc, VCC = 20 Vdc, Oscillator Injection = 150 mVrms)
GC
19
24
24
29
—
—
dB
Order this document
by MPSH24/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 2
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MPSL51 Amplifier Transistor
MPSL51 Amplifier Transistor(PNP Silicon)
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