參數(shù)資料
型號： MPSA93RL1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/34頁
文件大?。?/td> 320K
代理商： MPSA93RL1
Package Outline Dimensions
8–4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
CASE 318–08
(TO–236AB) SOT–23
D
J
K
L
A
C
B S
H
G
V
3
1
2
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
0.1102
0.1197
2.80
3.04
INCHES
B
0.0472
0.0551
1.20
1.40
C
0.0350
0.0440
0.89
1.11
D
0.0150
0.0200
0.37
0.50
G
0.0701
0.0807
1.78
2.04
H
0.0005
0.0040
0.013
0.100
J
0.0034
0.0070
0.085
0.177
K
0.0140
0.0285
0.35
0.69
L
0.0350
0.0401
0.89
1.02
S
0.0830
0.1039
2.10
2.64
V
0.0177
0.0236
0.45
0.60
NOTES:
1.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2.
CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3.
MAXIUMUM LEAD THICKNESS INCLUDES
LEAD FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD
THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS OF
BASE MATERIAL.
STYLE 6:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
STYLE 8:
PIN 1. ANODE
2. NO CONNECTION
3. CATHODE
STYLE 9:
PIN 1. ANODE
2. ANODE
3. CATHODE
STYLE 10:
PIN 1. DRAIN
2. SOURCE
3. GATE
STYLE 11:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. CATHODE–ANODE
STYLE 12:
PIN 1. CATHODE
2. CATHODE
3. ANODE
STYLE 18:
PIN 1. NO CONNECTION
2. CATHODE
3. ANODE
STYLE 19:
PIN 1. CATHODE
2. ANODE
3. CATHODE–ANODE
STYLE 21:
PIN 1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN
PLASTIC
S
G
H
D
C
B
L
A
1
3
2
J
K
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
2.70
3.10
0.1063
0.1220
MILLIMETERS
B
1.30
1.70
0.0512
0.0669
C
1.00
1.30
0.0394
0.0511
D
0.35
0.50
0.0138
0.0196
G
1.70
2.10
0.0670
0.0826
H
0.013
0.100
0.0005
0.0040
J
0.09
0.18
0.0034
0.0070
K
0.20
0.60
0.0079
0.0236
L
1.25
1.65
0.0493
0.0649
S
2.50
3.00
0.0985
0.1181
NOTES:
1.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2.
CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
CASE 318D–04
SC–59
STYLE 3:
PIN 1. ANODE
2. ANODE
3. CATHODE
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
STYLE 2:
PIN 1. N.C.
2. ANODE
3. CATHODE
STYLE 4:
PIN 1. N.C.
2. CATHODE
3. ANODE
STYLE 5:
PIN 1. CATHODE
2. CATHODE
3. ANODE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSH10L34Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSH10J18Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSH10D75Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSH10D27Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MMBTH10D87Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSA93RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA93RLRMG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA93STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA93STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA93STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*