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參數資料
| 型號： | MPSA92M1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SO |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 300V五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|蘇 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | MPSA92M1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN2106AM1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVN2110AM1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZTX601AM1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZTX603M1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZTX601BM1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPSA92RA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA92RA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA92RL | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Transistors |
| MPSA92RL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA92RL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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