參數資料
型號： MPSA70RLRM
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistor PNP Silicon
中文描述： 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數： 3/7頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： MPSA70RLRM
MPSA70
http://onsemi.com
3
TYPICAL NOISE CHARACTERISTICS
(V
CE
= 5.0 Vdc, T
A
= 25
°
C)
Figure 1. Noise Voltage
f, FREQUENCY (Hz)
5.0
7.0
10
3.0
Figure 2. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
1.0
10
20
50
100
200
500
1.0k
2.0k
5.0k
10k
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.1
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
S
≈
0
I
C
= 10 A
100 A
e
I
30 A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
S
≈ ∞
I
C
= 1.0 mA
300 A
100 A
30 A
10 A
10
20
50
100
200
500
1.0k 2.0k
5.0k
10k
2.0
1.0 mA
0.2
300 A
500k
100
200
500
1.0k
10k
5.0k
20k
50k
100k
200k
2.0k
1.0M
500k
100
200
500
1.0k
10k
5.0k
20k
50k
100k
200k
2.0k
1.0M
Figure 3. Narrow Band, 100 Hz
I
C
, COLLECTOR CURRENT ( A)
Figure 4. Narrow Band, 1.0 kHz
I
C
, COLLECTOR CURRENT ( A)
10
0.5 dB
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
R
Figure 5. Wideband
I
C
, COLLECTOR CURRENT ( A)
10
10 Hz to 15.7 kHz
R
Noise Figure is Defined as:
NF
20 log10
en2
4KTRS
4KTRS
In2RS2
1 2
= Noise Voltage of the Transistor referred to the input. (Figure 3)
= Noise Current of the Transistor referred to the input. (Figure 4)
= Boltzman’s Constant (1.38 x 10
23
j/
°
K)
= Temperature of the Source Resistance (
°
K)
= Source Resistance (Ohms)
e
n
I
n
K
T
R
S
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
20
30
50 70
100
200 300
500 700 1.0k
10
20
30
50 70
100
200 300
500 700 1.0k
500k
100
200
500
1.0k
10k
5.0k
20k
50k
100k
200k
2.0k
1.0M
20
30
50
70
100
200 300
500 700 1.0k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
5.0 dB
0.5 dB
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
0.5 dB
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
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