參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA65D26Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
文件大小： 616K
代理商： MPSA65D26Z
MPSA65
/
MMBT
A65
/
PZT
A65
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CES
Collector-Em itter Breakdown
Voltage
IC = 100
A, IB = 0
30
V
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 30 V, IE = 0
100
nA
IEBO
Em itter-Cutoff Current
VEB = 8.0 V, IC = 0
100
nA
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
50,000
20,000
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 100 mA, IB = 0.1 mA
1.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
2.0
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V,
f = 100 MHz
100
MHz
PNP Darlington Transistor
(continued)
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PDF描述
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