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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPSA64D26Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數(shù)： | 7/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 881K |
| 代理商： | MPSA64D26Z |
3
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
B = 0
30
V
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 30 V, IE = 0
100
nA
IEBO
Emitter-Cutoff Current
VEB = 10 V, IC = 0
100
nA
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
10,000
20,000
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 100 mA, IB = 0.1 mA
1.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
2.0
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V,
f = 100 MHz
125
MHz
Typical Characteristics
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
NOTE: All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.
Typical Pulsed Current Gain
vs Collect or Current
0.01
0.1
1
0
10
20
30
40
50
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
-
T
YPI
C
A
L
PU
L
S
ED
C
U
R
EN
T
G
A
IN
(
K
)
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 5V
CE
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
-
C
O
L
E
C
T
O
R
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
CE
S
A
T
β = 1000
25 °C
- 40 °C
125 °C
MPSA64
/
MMBT
A64
/
PZT
A64
PNP Darlington Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA65D75Z | 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA65D26Z | 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA65J18Z | 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA65J05Z | 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA65D87Z | 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSA64G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA64G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MPSA64RLRA | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA64RLRAG | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA64RLRM | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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